Микроскоп Helios 5 DualBeam
Описание оборудования
Система Helios 5 DualBeam представляет собой качественный скачок в технологии FIB-SEM, предлагая исследователям беспрецедентные возможности для работы с современными материалами. В отличие от традиционных решений, эта платформа интегрирует три ключевых аспекта современной микроскопии: предельное разрешение, интеллектуальную автоматизацию и комплексный анализ.
Особенности Helios 5 DualBeam
1. Простота использования
- Сокращение времени обучения с месяцев до дней
- Стабильные и воспроизводимые результаты даже для сложных применений
- Интуитивный интерфейс для пользователей любого уровня подготовки
2. Повышенная производительность
- Расширенная автоматизация (включая ПО AutoTEM 5)
- Непрерывная работа (включая ночные сессии)
- Улучшенная стабильность системы
3. Технология FLASH – автоматическая настройка изображения одним движением
- Исключает необходимость ручной юстировки
- Повышает скорость и качество данных
- Упрощает получение высококачественных изображений
Система Helios 5 DualBeam представляет собой пятое поколение ведущего в отрасли семейства Helios DualBeam, разработанное специально для решения исследовательских и инженерных задач. Уникальная комбинация инновационной электронной колонны Elstar, обеспечивающей сверхвысокое разрешение и превосходный контраст материалов, с усовершенствованной ионной колонной Tomahawk позволяет проводить быструю, простую и точную подготовку высококачественных образцов. Помимо передовой электронной и ионной оптики, Helios 5 DualBeam оснащен комплексом современных технологий, которые обеспечивают:
- Стабильную подготовку образцов для (S)TEM и атомно-зондовой томографии (APT) с высочайшим разрешением
- Качественную подповерхностную и 3D-характеризацию
- Работу с наиболее сложными образцами, включая чувствительные и гетерогенные материалы
Система поддерживает полный цикл исследований - от начальной подготовки образца до получения окончательных результатов, предоставляя исследователям беспрецедентные возможности для анализа на атомарном уровне. Благодаря оптимизированным рабочим процессам Helios 5 DualBeam значительно сокращает время подготовки образцов без ущерба для качества, что особенно важно при работе с современными функциональными материалами и наноструктурами.
Ключевые особенности системы Helios 5 DualBeam
- Прецизионная подготовка образцов
- Полная автоматизация процессов
- Максимальная скорость анализа
- Передовые технологии визуализации
- Расширенные возможности 3D-анализа
- Наноразмерное прототипирование
- Точная навигация по образцу
- Чистое изображение без артефактов
- Возможности STEM-визуализации
Возможные применения
- Контроль технологических процессов: сканирующие (SEM) и просвечивающие (TEM) электронные микроскопы с автоматизированным ПО обеспечивают оперативный многоуровневый мониторинг для совершенствования технологий
- Контроль качества и анализ дефектов: данные решения в области электронной микроскопии и спектроскопии позволяют проводить комплексный анализ дефектов на различных масштабах, обеспечивая надежную основу для принятия решений по оптимизации процессов
- Фундаментальные исследования материалов: электронная микроскопия дает исследователям ключевые данные о физико-химических свойствах материалов в микро- и нанодиапазоне
- Специализированные решения для полупроводниковой отрасли: анализ структур и материалов на атомарном уровне; точный контроль технологических процессов для повышения выхода годных изделий; выявление и исследование дефектов в сложных структурах; комплексный анализ физических, структурных и химических свойств материалов; исследование новых архитектур и материалов, выявление дефектов интерфейсов; анализ качества дисплеев и эффективности преобразования света
Применяемые методики
- Подготовка образцов для (S)TEM
- 3D-характеризация материалов
- Наноразмерное прототипирование
- Подготовка образцов для АЗТ (APT)
- Получение изображений поперечных сечений образцов
- In-situ эксперименты
- Многоуровневый анализ
- Редактирование микросхем (Circuit Edit)
- TEM-визуализация и анализ
- Подготовка полупроводниковых образцов
- SEM-метрология (контроль технологических процессов)
- Анализ микросхем устройств по слоям
Преимущества
- Автоматизированная подготовка ультратонких образцов для ПЭМ высокого качества
- Высокопроизводительный анализ подповерхностных структур и 3D-характеризация с высоким разрешением
- Быстрое прототипирование наноразмерных структур
Особенности
- Высокое разрешение и контраст материалов
- Быстрая и точная подготовка образцов для: (S)TEM-визуализации, атомно-зондовой томографии (APT), 3D-характеризации подповерхностных структур
- Гибкость рабочих процессов (ручные и автоматизированные методики)